150mm探針臺(tái)200mm探針臺(tái)300mm探針臺(tái)大功率探針臺(tái)硅光探針臺(tái)低溫探針臺(tái)探針與針座探針臺(tái)>場(chǎng)強(qiáng)測(cè)量電波暗室混響室OTA測(cè)試暗室橫電磁波室GJB151A/B標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試RTCA DO-160G標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電磁兼容民用設(shè)備測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容測(cè)試>SAM掃描電子顯微鏡SEM超聲波掃描顯微鏡DM3 XL金相顯微鏡2600-PCTxB,高功率參數(shù)化波形記錄器聚焦離子束(FIB)編輯系統(tǒng)蝕刻開封機(jī)X射線檢測(cè)系統(tǒng)失效分析測(cè)試設(shè)備X射線檢測(cè)設(shè)備推拉力測(cè)試儀封焊機(jī)植球機(jī)SS30劃片機(jī)等離子體清洗T-8000-G貼片機(jī)全自動(dòng)貼片機(jī)全自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)半導(dǎo)體封裝設(shè)備信號(hào)源頻譜分析儀/信號(hào)分析儀矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀功率探頭&功率計(jì)示波器阻抗調(diào)諧器電源直流測(cè)試誤碼儀采樣示波器光源光開關(guān)光濾波器光衰減器光功率計(jì)光譜儀光波元器件分析儀時(shí)鐘恢復(fù)(CDR)光波長(zhǎng)計(jì)OTDR光芯片測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試儀器儀表>Maury Microwave射頻微波測(cè)試附件國(guó)產(chǎn)射頻微波測(cè)試附件電磁兼容測(cè)試附件FormFactor/Cascade探針臺(tái)測(cè)試附件測(cè)試附件>THz在片測(cè)試系統(tǒng)WAT測(cè)試系統(tǒng)高壓在片測(cè)試系統(tǒng)光電在片測(cè)試系統(tǒng)硅光在片測(cè)試系統(tǒng)射頻在片測(cè)試系統(tǒng)失效分析在片測(cè)試系統(tǒng)在片負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)直流在片測(cè)試系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)試軟件晶圓在片測(cè)試系統(tǒng)>AM3200系列Pulsed IV測(cè)試系統(tǒng)MT1000/MT2000 系列有源負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)電源自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)多通道超寬帶信號(hào)生成和測(cè)試解決方案數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)備微波射頻前端半實(shí)物協(xié)同仿真平臺(tái)無(wú)源-有源混合負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)射頻微波測(cè)試系統(tǒng)和解決方案>電波暗室GTEM橫電磁波室混響室OTA測(cè)試暗室汽車整車及零部件EMC測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容民用設(shè)備測(cè)試系統(tǒng)電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)和解決方案>維修租賃現(xiàn)貨代測(cè)行業(yè)資訊社會(huì)新聞公司簡(jiǎn)介聯(lián)系我們招賢納士

2027年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)創(chuàng)歷史新高,達(dá)1560億美元——SEMI報(bào)告

發(fā)表時(shí)間:2025-12-17 09:00來源:SEMI中國(guó)

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20251216日,SEMI在發(fā)布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》(Year-End Total Semiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective)中指出,2025年全球原始設(shè)備制造商(OEM)的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元,同比增長(zhǎng)13.7%,創(chuàng)歷史新高;2026年、2027年有望繼續(xù)攀升至1450億和1560億美元。增長(zhǎng)主要由人工智能相關(guān)投資拉動(dòng),涵蓋先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝技術(shù)。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示:全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售勢(shì)頭強(qiáng)勁,前道與后道設(shè)備均有望連續(xù)三年增長(zhǎng),2027年總銷售額將首次突破1500億美元。自年中預(yù)測(cè)以來,AI需求帶動(dòng)的投資力度超預(yù)期,因此我們上調(diào)了所有細(xì)分市場(chǎng)的展望。

半導(dǎo)體設(shè)備銷售額(按細(xì)分市場(chǎng)劃分)

晶圓廠設(shè)備(WFE)領(lǐng)域(含晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩膜/掩模版設(shè)備)2024年創(chuàng)1040億美元紀(jì)錄后,預(yù)計(jì)2025年增長(zhǎng)11.0%1157億美元(此前年中預(yù)測(cè)為1108億美元),主要因DRAMHBM投資強(qiáng)于預(yù)期;中國(guó)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。20262027年預(yù)計(jì)再增9.0%7.3%,達(dá)1352億美元,設(shè)備商將加大先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)技術(shù)支出。

后端設(shè)備領(lǐng)域延續(xù)2024年開始的強(qiáng)勁復(fù)蘇。2025年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)激增48.1%112億美元,封裝設(shè)備銷售額增長(zhǎng)19.6%64億美元。20262027年測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)繼續(xù)增長(zhǎng)12.0%7.1%,封裝設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)9.2%6.9%。驅(qū)動(dòng)力來自器件架構(gòu)復(fù)雜度提升、先進(jìn)/異構(gòu)封裝加速滲透,以及AIHBM對(duì)性能的嚴(yán)苛要求;部分抵消因素為消費(fèi)、汽車與工業(yè)需求持續(xù)疲軟。


WFE銷售額(按應(yīng)用劃分)

用于FoundryLogic應(yīng)用的WFE銷售額2025年預(yù)計(jì)同比增9.8%666億美元,先進(jìn)節(jié)點(diǎn)投資保持韌性;預(yù)計(jì)20262027年再增5.5%6.9%,達(dá)752億美元。芯片制造商持續(xù)為AI加速器、高性能計(jì)算及高端移動(dòng)處理器擴(kuò)產(chǎn),行業(yè)將邁向2 nm環(huán)繞柵(GAA)節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。

存儲(chǔ)相關(guān)資本支出受AI部署帶動(dòng)HBM需求及技術(shù)迭代推動(dòng),2027年前將大幅擴(kuò)張。NAND設(shè)備市場(chǎng)2025年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)45.4%140億美元,受益于3D NAND堆疊技術(shù)進(jìn)步及主流產(chǎn)能擴(kuò)張,預(yù)計(jì)20262027年再增12.7%7.3%,分別達(dá)到157億美元和169億美元。DRAM設(shè)備2025年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%225億美元,20262027年再增長(zhǎng)15.1%7.8%,存儲(chǔ)廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)HBM并升級(jí)更先進(jìn)制程以滿足AI與數(shù)據(jù)中心需求。

半導(dǎo)體設(shè)備銷售額(按地區(qū)劃分)

預(yù)計(jì)至2027年,中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)仍將位居設(shè)備支出前三甲地位。中國(guó)大陸有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)保持首位,盡管增速放緩、銷售額自2026年起逐步回落,本土芯片制造商仍在成熟制程及部分先進(jìn)節(jié)點(diǎn)持續(xù)投入;中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)2025年支出強(qiáng)勁,主要受益于面向 AI 與高性能運(yùn)算的大規(guī)模尖端產(chǎn)能建設(shè);韓國(guó)則憑借對(duì)HBM 等先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的大量投資,維持設(shè)備支出高位。在政府激勵(lì)、區(qū)域化布局及特色產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)下,報(bào)告涵蓋的其他地區(qū)在2026與2027年的設(shè)備支出亦將全面增長(zhǎng)。


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